买卖IC网 >> 产品目录43555 >> STB80N20M5 MOSFET N-CH 200V 61A D2PAK datasheet 分离式半导体产品
型号：

STB80N20M5

库存数量：可订货
制造商：STMicroelectronics
描述：MOSFET N-CH 200V 61A D2PAK
RoHS：无铅 / 符合
详细参数
参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
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其它有关文件 STB80N20M5 View All Specifications
产品培训模块 5th Generation High Voltage Mosfet Technology
标准包装 1,000
系列 MDmesh™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 61A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 23 毫欧 @ 30.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 104nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 4329pF @ 50V
功率 - 最大 190W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装 D2PAK
包装 带卷 (TR)
其它名称 497-10705-2
相关资料
属性
链接
代理商 STB80N20M5
STB80NE03L-06
STB80NE03L-06T4
STB80NE06-10
STB80NE06-10T4
STB80NF03L-04
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电话
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深圳市芯品会科技有限公司 0755-83265528 朱先生
北京芯时代电子科技发展有限公司 13610068393 栾文超
深圳市芯品会科技有限公司 0755-83265528 朱先生
  • STB80N20M5 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1,000 4.1796 4179.6
    2,000 4.0248 8049.6
    5,000 3.87 19350
    10,000 3.80808 38080.8
    25,000 3.7152 92880